Отличия сверхбыстрых предохранителей "ULTRA QUICK" от обычных промышленных предохранителей:
- предохранители "UQ" имеют более низкие значения I²t (интеграл Джоуля);
- более высокие характеристики рассеиваемой мощности;
- более высокие токоограничивающие характеристики;
- низкие потери мощности;
- высокая отключающая способность - до 200 кА;
- высокая скорость срабатывания;
В последнее время все производители устройств и механизмов, включающих в себя полупроводниковые компоненты (например, тиристоры) начали удалять защитные компоненты (плавкие вставки) из конструкции изделий, чтобы снизить расходы на производство, а также уменьшить габаритные размеры самих устройств. Много систем имеют только электронную защиту, минусом которой является ухудшение номинальных характеристик защиты вследствии влияния перенапряжений в системе и старения компонентов защиты. В отличие от плавких предохранителей, характеристики которых со временем остаются стабильными и надёжно защищают полупроводниковые компоненты. В случае использования защиты полупроводников предохранителями, важно отметить использование именно сверхбыстрых предохранителей, а не обычных - промышленных. Т. к. время срабатывания сверхбыстрых предохранителей 10мс при 5-6 кратном значении In, а диапазон выхода из строя тиристора >10 x In (за 10мс). Параметры срабатывания обычных предохранителей 15-30 х In за 10мс. Предохраниетли "UQ" являются наиболее надёжным способом защиты полупроводниковых компонентов от взрыва (взрыв самого полупроводника (IGBT) влияет и на другие компоненты, так как газы, возникающие при взрыве, оседают на чувствительных элементах). Критериям выбора типа предохранителя является лёгкий или тяжёлый запуск механизмов в которых используются защищаемые полупроводники. В случае лёгкого запуска - рекомендуется использование предохранителей цилиндрического или ножевого типа. В случае тяжёлого запуска - ножевые или устанавливаемые на шину.
Выбор предохранителей для защиты полупроводниковых устройств:
A: Ток нагрузки, проходящий через полупроводниковое устройство (Isem) должен быть ниже или равен номинальному току выбранной плавкой вставки (Inv). Предохранители, защищающие полупроводниковые устройства, выдерживают этот ток длительное время. (При пульсирующем токе проконсультируйтесь с представительством ETI).
Isem ≤ Inv
B: Рабочее напряжение полупроводника (Usem) дожно быть ниже или равно номинальному напряжению плавкой вставки (Unv). По вопросам приложенного напряжения АС и DC, постоянной времени и COS φ проконсультируйтесь с представительством ETI.
Usem ≤ Unv
C: Рабочие значения I2t (максимальная энергия) выбранного предохранителя должны быть ниже чем I2t полупроводника (I2tsem). По вопросам параллельной работы, селективности и избирательности при высоких уровнях к.з. проконсультируйтесь с представительством ETI.
I2topv < I2tsem
D: При других номинальных токах, которые не включены в настоящий каталог, проконсультируйтесь, пожалуйста, с представительством представительством ETI.